11月12日消息SK Hynix宣布研发完成採用1Ynm製程的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM晶片。该晶片最高支援3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。
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2018-11-12 15:09 上传
技术指标方面相较于1Xnm,1Ynm晶片的生产率提高了20%,功耗降低了15%。SK Hynix还表示,新的1Ynm晶片还显着提高了精準度、调整了电晶体管结构,使得数据传输的出错率降低。官方称1Ynm DDR4 DRAM将于明年一季出货,率先用于伺服器和PC产品上,最后向手机等领域推广。
在储存晶片从20+nm进入10+nm製程之后,厂商对製程的描述已经不再使用具体的数字了,20nm之后是1x nm製程,再往后则是1y nm製程,还有1z nm製程的说法,至于XYZ具体的含义,由于每家公司的製程并不一样,所以缺少详细的解释。
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